FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
الصانع:
(إس إم تي ((إيليت سيمكوندوكتور ميكروإلكترونيكس تكنولوجيا إنك
وصف:
FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10.5x8 (مم
فئة:
متحكم IC
في الأوراق المالية:
في الأوراق المالية
سعر:
Contact us
طريقة الدفع او السداد:
تي/تي
طريقة الشحن:
يعبر
تحديد
اسم المنتج:
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
وصف:
FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz
فئة:
الدوائر المتكاملة (ICs)-FM6BD1G1GMB
الحزمة / القضية:
10.5x8 (مم) 162BGA
درجة حرارة التشغيل:
-40 درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية (تا)
نوع التركيب:
جبل السطح
MFR:
إي إس إم تي
رقم المنتج الأساسي:
FM6BD1G1GMB
أرقام الجزء:
FM6BD1G1GMB-1.8BLCEFM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
مقدمة
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (ذاكرة فلاش NAND + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
الوصف:FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10.5x8 (mm) 162BGA
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE
المزيد من أرقام أجزاء ICs ذاكرة فلاش MCP:
| 1G+1G (ذاكرة فلاش NAND + LPDDR2) | |||
| رقم الجزء | الوصف | السرعة (ميغاهرتز) | الحزمة |
| FM6BD1G1GMB(2M) | 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) | 45ns, 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 كرة |
| FM62D1G1GMB (2G) | 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx16) | 45ns, 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 كرة |
| FM6BD1G1GMB (2G) | 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) | 45ns, 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 كرة |
| 2G+1G (ذاكرة فلاش NAND + LPDDR2) | |||
| رقم الجزء | الوصف | السرعة (ميغاهرتز) | الحزمة |
| FM62D2G1GXA (2U) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx16) | 30ns, 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 كرة |
| 2G+2G (ذاكرة فلاش NAND + LPDDR2) | |||
| رقم الجزء | الوصف | السرعة (ميغاهرتز) | الحزمة |
| FM6BD2G2GXA(2M) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 كرة |
| FM6BD2G2GXA(2L) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 كرة |
| FM62D2G2GXA (2L) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 كرة |
| FM62D2G2GKA (2Q) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 كرة |
| FM6BD2G2GKA (2Q) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 كرة |
| 2G+2G (ذاكرة فلاش NAND + LPDDR4x) | |||
| رقم الجزء | الوصف | السرعة (ميغاهرتز) | الحزمة |
| FM6HZ2G2GXA (2A) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR4x SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 1866MHz | 9.5x8 (mm), 149 كرة |
| 4G+2G (ذاكرة فلاش NAND + LPDDR2) | |||
| رقم الجزء | الوصف | السرعة (ميغاهرتز) | الحزمة |
| FM6BD4G2GXB(2V) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 كرة |
| FM6BD4G2GXB(2X) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 533/400MHz | 10.5x8 (mm), 162 كرة |
| FM62D4G2GXB (2V) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 كرة |
| FM6BD4G2GKA (2J) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 كرة |
| 4G+2G (ذاكرة فلاش NAND + LPDDR4x) | |||
| رقم الجزء | الوصف | السرعة (ميغاهرتز) | الحزمة |
| FM6HZ4G2GXB | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR4x SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 1866MHz | 9.5x8 (mm), 149 كرة |
| 4G+4G (ذاكرة فلاش NAND +LPDDR2) | |||
| رقم الجزء | الوصف | السرعة (ميغاهرتز) | الحزمة |
| FM6BD4G4GXB(2X) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 30ns; 400/ 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 كرة |
| FM6BD4G4GXMB (2V) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 كرة |
| FM6BD4G4GKMA (2J) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 كرة |
| 4G+4G (ذاكرة فلاش NAND + LPDDR4x) | |||
| رقم الجزء | الوصف | السرعة (ميغاهرتز) | الحزمة |
| FM6HZ4G4GXB | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR4x SDRAM (256Mbx16) | 30ns; 1866/2133MHz | 9.5x8 (mm), 149 كرة |
| 8G+8G (ذاكرة فلاش NAND + LPDDR4x) | |||
| رقم الجزء | الوصف | السرعة (ميغاهرتز) | الحزمة |
| FM6HZ8G8GXDZB(2H) | 1.8V 4Gb x2die NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb x2die LPDDR4x SDRAM (256Mbx16) | 30ns; 1866/ 2133MHz | 9.5x8 (mm), 149 كرة |
| 16G+16G (ذاكرة فلاش NAND + LPDDR4x) | |||
| رقم الجزء | الوصف | السرعة (ميغاهرتز) | الحزمة |
| FM6HZ16G16GXA (2D) | 1.8V 8Gb x2die NAND Flash (1024Mbx8) + 1.8V 16Gb x1die LPDDR4x SDRAM (1Gbx16) | 30ns; 2133MHz | |
التطبيقات:
السيارات
الشبكات
المستهلك
صندوق الإعداد
الصناعية
العرض
إنترنت الأشياء
المراقبة الأمنية
الأجهزة القابلة للارتداء
الأجهزة الطرفية للكمبيوتر
Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) هي شركة تصميم IC احترافية، تأسست في يونيو 1998 في حديقة هسينشو للعلوم الصناعية في تايوان. يشمل العمل الرئيسي للشركة تصميم منتجات IC الخاصة بالعلامة التجارية الخاصة بها والتصنيع والمبيعات والخدمات الفنية. نجحت ESMT في طرح أسهمها للاكتتاب العام في بورصة تايوان للأوراق المالية، الرمز 3006، في مارس 2002.
منتجات ESMT SPI NAND Flash المتوفرة في المخزون:
| SPI NAND | |||
| 1 جيجابايت | |||
| رقم الجزء | الوصف | السرعة (ميغاهرتز) | الحزمة |
| F50L1G41LB(2M) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104 ميغاهرتز | 8-contact WSON |
| F50D1G41LB(2M) | SPI NAND Flash, 1.8V | 50 ميغاهرتز | 8-contact WSON |
| F50L1G41XA(2B) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104 ميغاهرتز | 8-contact WSON/ 24 Ball BGA |
| 2 جيجابايت | |||
| رقم الجزء | الوصف | السرعة (ميغاهرتز) | الحزمة |
| F50L2G41XA(2B) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104 ميغاهرتز | 8-contact WSON |
| F50L2G41XA (2BE) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104 ميغاهرتز | 8-contact LGA |
| F50D2G41XA(2BE) | SPI NAND Flash, 1.8V | 83 ميغاهرتز | 8-contact LGA |
| F50D2G41XA(2B) | SPI NAND Flash, 1.8V | 83/ 104 ميغاهرتز | 8-contact WSON |
| 4 جيجابايت | |||
| رقم الجزء | الوصف | السرعة (ميغاهرتز) | الحزمة |
| F50D4G41XB(2X) | SPI NAND Flash 1.8V | 83 ميغاهرتز | 8-contact LGA |
| F50L4G41XB(2X) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104 ميغاهرتز | 8-contact WSON |
| F50D4G41XB(2XE) | SPI NAND Flash 1.8V | 83 ميغاهرتز | 8-contact LGA |
منتجات ذات صله
F59L1G81LB SLC NAND أو SLC NAND ذاكرة فلاش ICs F59L1G81LB-25TG2M
F59L1G81LB (2M) SLC NAND Flash x8 3.3V ECC:1bit/528Byte 25ns 48TSOPI/ 63BGA/ 67BGA
EN25QX256A SPI أو IC Flash EN25QX256A-104HIP2S
256Mb 2.7V - 3.6V 104MHz/133MHz SPI NOR Flash Memory IC
EN29LV800D(2A) EN29LV160D(2W) EN29LV320C (2Y) EN29LV320CB-70BIP
Parallel NOR 32Mb Flash Memory Boot Sector IC EN29LV320CB-70BIP
M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A (2Y) 4 جيجا بايت M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2 جيجا بايت M56Z2G16128A (2R) 4 جيجا بايت M56Z4G16256A(2H) M56Z4G32128A (2R) 8 جيجابايت M56Z8G32256A M56Z8G32256A (2H)
LPDDR3 SDRAM LPDDR4x SDRAM M55D4G32128A-GFB
M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) LPSDR SDRAM IC
M52D64322A 2Mbx32 1.8V 4K 166MHz 54FBGA LPSDR SDRAM IC
M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1664A M53D1G3232A
M53D5123216A 16Mbx32 1.8V 8K 200MHz 144FBGA LPDDR SDRAM IC M53D5123216A-5B
M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z
4Gb 256Mbx16 1.2V 1333/1600MHz DDR4 SDRAM M16U4G16256A M16U4G8512A 96BGA IC
ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية DDR SDRAM سعة 128 ميجابايت M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T
M13S128168A (2S) 8Mbx16 2.5V 4K 160/200/250MHz 66TSOPII/ 60BGA DDR SDRAM IC
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64 ميجا بايت DRAM DDR SDRAM IC
M13S64164A(2C) 64Mb 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz 66TSOPII IC
M12L5121632A-6TG2T 166 ميجا هرتز TSOP M12L5121632A-7TG2T 143 ميجا هرتز TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200 ميجا هرتز بغا M12L5121632A-6BG2T 166 ميجا هرتز بغا M12L5121632A-7BG2T 143 ميجا هرتز بغا
M12L5121632A 32Mbx16 SDRAM 3.3V 8K 143/166/200MHz 54pin TSOPII/54FBGA IC M12L5121632A-5TG2T
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) ESMT DRAM DDR SDRAM ذاكرة IC
ESMT DRAM DDR SDRAM Memory IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz
M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ESMT SDRAM 3.3V ذاكرة IC
M12L2561616A (2T) M12L16161A (2R) M12L16164A M12L64322A M12L128168A M12L5121632ASDRAM
أرسل RFQ
مخزون:
In Stock
الـ MOQ:
10pieces